电

特征（Tamb=25℃   除非另有说明）

参数

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

集电极-基极击穿电压

V(BR)CBO

Ic= 1000μA， IE=0

700

V

集电极发射极击穿电压

V(BR)CEO

Ic= 10

mA， IB=0

400

V

发射极-基极击穿电压

V(BR)EBO

IE= 1000μA， IC=0

9

V

集电极截止电流

ICBO

VCB= 700

V， IE=0

1000

?A

集电极截止电流

ICEO

VCE= 400

V， IB=0

500

?A

发射极电流

IEBO

VEB= 9

V， IC=0

1000

?A

HFE（1）

VCE= 5 V, IC= 0.2 A

8

40

直流电流增益

HFE（2）

VCE= 10 V, IC= 0.5 mA

5

集电极-发射极饱和电压

VCE(sat)

IC=0.2A,I_B= 0.04A

1

V

基极-发射极饱和电压

VBE(sat)

IC=0.2A,I_B= 0.04A

1.2

V

基极-发射极电压

VBE

IE= 2000 mA

3

V

过渡频率 

fT

VCE=10V,Ic=100mA

5

MHz

f =1MHz

下降时间

tf

IC=1A,   IB1=-IB2=0.2A

0.5

?s

VCC=100V

储存时间

ts

2.5

?s

分类HFE₍₁₎

秩

环绕

8-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40